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模擬環(huán)境類檢測設(shè)備

三槽式冷熱沖擊試驗箱烤箱/充氮氣烤箱高空低氣壓試驗箱蒸汽老化試驗機(jī) 日標(biāo)灑水滴水綜合試驗箱恒溫房氙燈耐氣候試驗箱紫外線老化試驗箱快速高低溫沖擊試驗箱溫度沖擊箱鹽水浸泡試驗機(jī) 高溫老化試驗箱/烤箱鹽水浸泡試驗箱真空干燥箱

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KZ-UVA-340箱式紫外線老化試驗箱

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箱式紫外線老化試驗箱專門模擬產(chǎn)品長期放置在戶外，太陽中的紫外線對其照射所產(chǎn)生的破壞性，設(shè)備可以再現(xiàn)戶外需要數(shù)月或數(shù)年所產(chǎn)生的破壞。看產(chǎn)品是否有退色、變色、亮度下降、粉化、龜裂、變模糊、脆化、強(qiáng)度下降及氧化等現(xiàn)象，同時它還可以再現(xiàn)雨水和露水所產(chǎn)生的破壞。
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KZ-UVA-340紫外線老化測試箱

更新時間：2023-12-06

型號：KZ-UVA-340

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紫外線老化測試箱專門模擬產(chǎn)品長期放置在戶外，太陽中的紫外線對其照射所產(chǎn)生的破壞性，設(shè)備可以再現(xiàn)戶外需要數(shù)月或數(shù)年所產(chǎn)生的破壞。看產(chǎn)品是否有退色、變色、亮度下降、粉化、龜裂、變模糊、脆化、強(qiáng)度下降及氧化等現(xiàn)象，同時它還可以再現(xiàn)雨水和露水所產(chǎn)生的破壞。
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KZ-XD-800風(fēng)冷式氙燈老化試驗箱

更新時間：2023-12-06

型號：KZ-XD-800

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氙燈老化試驗箱光電行業(yè)采用能摸擬全陽光光譜的氙弧燈來再現(xiàn)不同環(huán)境下存在的破壞性光波，可以為科研、產(chǎn)品開發(fā)和質(zhì)量控制提供相應(yīng)的環(huán)境模擬和加速試驗。SN型氙燈試驗箱可用于新材料的選擇、改進(jìn)現(xiàn)有材料或評估材料組成變化后耐用性的變化試驗，可以很好的模擬在不同環(huán)境條件下，材料暴露在陽光下所產(chǎn)生的變化。
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KZ-TS-8080L三箱式冷熱沖擊試驗箱

更新時間：2023-12-06

型號：KZ-TS-80

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80L三箱式冷熱沖擊試驗箱又名高低溫冷熱沖擊試驗箱，它分為高溫區(qū)，低溫區(qū)，測試區(qū)，產(chǎn)品為靜止式，冷熱沖擊箱適用汽車配件、金屬、化學(xué)材料、塑膠等行業(yè)，國防工業(yè)、航天、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化。
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KZ-CY-150臭氧老化試驗箱

更新時間：2023-12-06

型號：KZ-CY-150

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臭氧老化試驗箱可用于橡膠類制品如硫化橡膠，熱塑性橡膠，電纜絕緣護(hù)套等產(chǎn)品，在靜態(tài)拉伸或連續(xù)的動態(tài)拉伸變形下，或在間斷的動態(tài)拉伸與靜態(tài)拉伸交替的變形下，暴露于密閉無光照的含有恒定臭氧濃度的空氣和恒溫的試驗箱中，按預(yù)定時間對試樣進(jìn)行檢測，從試樣表面發(fā)生的龜裂或其它性能的變化程度，以評定橡膠的耐臭氧老化性能。設(shè)備適用于學(xué)校，工廠，軍工，科研單位。
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KZ-450二箱式真空干燥箱

更新時間：2023-12-06

型號：KZ-450

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二箱式真空干燥箱專為干燥熱敏性、易分解和易氧化物質(zhì)而設(shè)計的，工作時可使工作室內(nèi)保持一定的真空度，并能夠向內(nèi)部充入惰性氣體，特別是一些成分復(fù)雜的物品也能進(jìn)行快速干燥，采用智能型數(shù)字溫度調(diào)節(jié)儀進(jìn)行溫度的設(shè)定、顯示與控制。
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KZ-XD-150氙燈試驗箱

更新時間：2023-12-06

型號：KZ-XD-150

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150L氙燈試驗箱采用能模擬全陽光光譜的氙弧燈來再現(xiàn)不同環(huán)境下存在的破壞性光波，可以為科研、產(chǎn)品開發(fā)和質(zhì)量控制提供相應(yīng)的環(huán)境模擬和加速試驗。氙燈按光源可以分為風(fēng)冷式、水冷式，試驗參照標(biāo)準(zhǔn):GB/T 2424.14-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分試驗方法太陽輻射試驗導(dǎo)則、GB/T 2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗試驗Sa:模擬地面上的太陽輔射.
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KZ-TS-50新款三槽式高低溫溫度沖擊箱

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新款三槽式高低溫溫度沖擊箱又名冷熱沖擊試驗箱，它分為高溫區(qū)，低溫區(qū)，測試區(qū)，產(chǎn)品為靜止式，冷熱沖擊箱適用汽車配件、金屬、化學(xué)材料、塑膠等行業(yè)，國防工業(yè)、航天、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化。
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